DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних. При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR 512MB 400 MHz Samsung (SAMD6AUDR-50M48) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Модуль пам'яті працює з тактовою частотою 400 MHz, і з піковою швидкістю передачі данних 3200 МБ/с.