DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.

При використанні DDR SDRAM досягається подвоєнна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.

Модуль пам'яті DDR SDRAM 512Mb Silicon Power (SP512MBLDU400O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS -латентность - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.

Модуль пам'яті DDR SDRAM 512Mb Silicon Power (SP512MBLDU400O02) - працює з тактовою частотою 400 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 3200 МБ/с.