DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.

Переваги в порівнянні з DDR2:
- вища пропускна спроможність (до 19200 МБ/с);
- понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення);
- менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.

Модуль пам'яті DDR3 4096Mb SILICON POWER (SP004GBLTU133V02) має параметр CL9, що означає величину латентності, рівну 9. CAS-латентність - це перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Від цього параметра найбільше залежить продуктивність пам'яті, оскільки тільки він затримує доступ до даних, чим менше затримка CL, тим раніше дані поступають в пам'ять.

Пам'ять DDR3 4096Mb SILICON POWER (SP004GBLTU133V02) працює з тактовою частотою 1333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 10600 МБ/с.